				경북･구미 반도체특화단지 추진단 소식

제56호 2026.07.27.

	｢ 주요 언론 초청 간담회 ｣ 참석 2026.07.15.(수) / 구미시청 국제통상협력실

□ 특화단지 소개 및 기술동향 브리팅 (이현권 반도체추진단장) □ 구미 반도체 산업 육성 계획 발표 □ 기타 반도체 산업 관련 의견 공유 등

	｢ 반도체 글로벌 경쟁력 강화를 위한 국가전략 국회토론회 ｣ 참석 2026.07.22.(수) / 국회 도서관

□ AI 시대 반도체산업의 변화와 대응과제 □ 반도체 특화단지 육성정책의 성과와 향후 계획 □ 대구·경북 반도체산업 생태계 고도화 및 투자방안 논의 □ 반도체산업 경쟁력 강화를 위한 정부·산업계 정책제언 및 토론

	｢반도체특화단지 소재·부품·장비 특화 인력양성 기업 맞춤형 교육 수요조사(수시)｣

□ 사업내용 : 기업의 교육수요 조사에 따른 맞춤형 교육프로그램 제공 및 운영

□ 교육과정 : 신규입사자 또는 재직자 대상 / 반도체 기초, 분야별 전문 분야 등 기업에 필요한 과정

□ 신청자격 : 경북지역 반도체 관련 기업이면 누구나

□ 교육비용 : 무료

□ 모집기간 및 신청방법 : 수시모집, 이메일 접수 (junhee.kim@geri.re.kr)

	｢ 경북·구미 반도체특화단지 기술경쟁력강화지원사업 ｣ 안내

경북·구미 반도체특화단지추진단에서는 반도체 소재·부품 관련 중소기업의 기술경쟁력

강화를 지원하고자 「기술경쟁력 강화 지원 사업」을 아래와 같이 공고하오니 관심 있는

기업들의 많은 참여 부탁드립니다.

□ 사업목적

- 반도체 분야 소규모 핵심기술 구현과 시제품 제작 지원으로 사업화 비용 부담

완화와 시장진입 속도 제고

- 전문가 기획 지원과 성능검증·인증 획득을 통해 중소기업의 기술 진입장벽

해소 및 제품 신뢰성 확보

□ 신청자격 : 공고일 기준 구미 반도체산업 기업협의회 가입 중소기업 중

2025년 매출액 1,500억 원 이하 기업

* 자세한 사항은 홈페이지 참조 바랍니다.

https://gumisemi.or.kr/pages/community/announcements/?type=view&id=22

				반도체(소재 부품 장비) 관련 뉴스

제56호 2026.07.27.

	｢국가첨단전략산업 특화단지 산업기반시설 지원기준 개정 고시｣ 2026.07.02.(목)/ 산업통상부

□ 서론 : 산업통상부가 국가첨단전략산업 특화단지의 원활한 운영을 지원하기 위해 산업기반시설 지원기준을 개정 고시했음. 이번 개정안은 특화단지 내 기업들의 안정적인 생산 활동을 위한 필수 기반시설 확충에 정부의 역할을 확대하는 내용을 담고 있음. 이는 첨단산업의 경쟁력 강화와 지역균형발전에 기여할 것으로 기대됨.

□ 내용 :

◦ 특화단지 산업기반시설 지원 확대

- 국가첨단전략산업법에 따라 지정된 특화단지의 산업기반시설에 대한 정부 출연금 지원 확대

- 용수, 전기, 도로, 폐수처리, 처리수 지하관로, 가스, 집단에너지, 폐기물 처리, 통신시설, 공동구 등 10개 시설 지원 대상 포함

- 천재지변 등 사고 대비 이중화 시설 구축 비용도 국가 지원에 포함하여 안정성 강화

◦ 지원 대상 시설 및 규모

- 지원 사업은 실시설계 완료 및 당해 연도 공사 착공 가능한 시설에 대해 단년도 지원 원칙 적용

- 총 사업비는 설계비, 공사비, 감리비를 합산한 금액으로 산정

- 기업 투자 규모 및 지역 특성을 고려하여 총 사업비의 30~50% 범위 내에서 차등 지원하여 효율성 제고

- 이미 다른 산업단지 지원 제도를 활용했거나 지원 착공이 불가한 경우는 지원 대상에서 제외하여 중복 투자 방지

◦ 예산 신청 및 검토 기준 강화

- 수행기관은 특화단지 기반시설 지원 요건 충족 여부를 확인하여 산업통상부 장관에게 예산 신청

- 예산 검토 시 당해 연도 집행 가능성, 부지 확보 여부, 지방비 매칭 또는 민간 부담금 확보 등 절차적 요건 확인

- 정부 지원의 필요성, 시급성, 기본계획 및 실시설계 완료 여부, 운영관리 계획 적정성 등 내용적 요건 충실히 검토

- 필요시 전담기관의 검증위원회, 관계 전문가 의견 청취, 현장 실사 등을 통해 예산 교부 결정의 투명성 확보

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

	｢영남권, 첨단산업의 미래를 열다 - 312조원 대규모 투자 및 발전 비전 발표｣ 2026.07.03.(금)/ 재정경제부

□ 서론 : 영남권이 대한민국 첨단산업의 새로운 성장 동력으로 부상하고 있음. 재정경제부는 경상남도 진주에서 '영남권 첨단산업 발전비전 국민보고회'를 개최하고, 국내 주요 기업들의 총 312조 원 규모 대규모 투자 계획을 발표. 이는 영남권을 차세대 반도체, AI 데이터센터, 피지컬 AI 등 첨단 산업의 핵심 거점으로 육성하려는 정부의 강력한 의지를 보여줌.

□ 내용 :

◦ 영남권 첨단산업 대규모 투자 유치

- 한화그룹, 위성·발사체·우주·국방 AI 데이터센터 구축 등에 약 55조 원 투자 계획 발표

- 현대자동차그룹, AI 기반 자율주행 모빌리티 및 미래 핵심부품 제조 클러스터 등에 약 42조 원 투자

- 삼성, 휴머노이드 로봇 양산 라인 및 차세대 배터리 양산 라인 구축에 약 60조 원 투자

- SK그룹, 영남권에 2GW급 AI 데이터센터 구축을 위해 약 140조 원 투자 (해외 사업자 제휴 및 자본 유치 포함)

- 두산그룹 소형모듈원전(SMR) 및 가스·수소터빈에 약 5.1조 원, LG그룹 반도체 기판 생산능력 증설 등에 약 9.4조 원 투자

◦ '5극 3특 성장엔진' 기반 영남권 발전 비전

- 재정경제부 장관은 지방 중심의 국토공간 대전환을 강조하며 '5극 3특 성장엔진' 비전과 정책 방향 신속 발표 예정

- 영남권을 포함한 지방을 중심으로 반도체, AI 데이터센터, 피지컬 AI 등 3대 메가 프로젝트 추진

- 조선, 자동차, 우주항공·방산, 에너지 등 기존 제조 역량 기반 위에 첨단 산업을 육성하여 세계 1위 거점 목표

◦ 차세대 반도체 및 소부장 혁신 거점 구축

- 부산을 전력반도체 클러스터로, 구미를 소부장·방산 특화형 반도체 테스트베드로 구축하여 차세대 반도체 혁신 거점 조성

- 울산 등 GW급 메가 AI 데이터센터 지원을 위해 서버용 고성능·저전력 반도체 개발 집중 지원

- 정부는 국내생산세액공제 신설 및 SMR 국가전략기술 지정 검토 등 세제 지원 강화하여 투자 뒷받침

◦ AI 데이터센터 구축 및 피지컬 AI 대전환

- 영남권 2GW를 포함한 전국 각지에 대규모 AI 데이터센터 인프라망 구축, 울산에 전국 최초 1GW 메가 데이터센터 건설 예정

- 5년 내 로봇 글로벌 3강, 피지컬 AI 1강을 목표로 영남권 제조업의 피지컬 AI 대전환 추진

- 구미-포항-대구-창원을 잇는 '첨단로봇 초혁신 벨트'를 중심으로 로봇 산업 집중 육성

- 휴머노이드 로봇 양산 라인 구축 및 액추에이터·센서 등 3대 핵심 로봇 부품 전용 R&D 신설

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

	｢'대체불가 K-반도체' 성공 신화, 생산능력 확충 및 혁신 생태계 조성 가속화｣ 2026.07.14.(화)/ 재정경제부

□ 서론 : 한국 정부가 글로벌 반도체 초격차 유지를 위해 '대체불가 K-반도체' 전략을 본격화. 재정경제부는 메모리반도체 생산능력 확충부터 차세대 반도체 R&D 지원, 인력 양성, AI 데이터센터 인프라 구축까지 전방위적인 지원 계획을 발표. 이는 지역별 특화된 반도체 생태계 조성과 함께 대한민국 산업의 잠재성장률 반등을 목표로 함.

□ 내용 :

◦ 메모리반도체 생산능력 대폭 확충

- 수도권 팹(용인·평택) 건설 기간을 획기적으로 단축하여 5년 내 메모리 생산능력 2배 확대 추진

- 서남권에 제2 반도체 생산거점으로 4개의 팹을 구축하고, 전력·용수 등 인프라 신속 공급에 총 800조 원 투자

- 충청권은 HBM 팹(온양·천안) 건설 등 156조 원 투자로 패키징 거점화하여 후공정 경쟁력 강화

◦ 지역별 차세대 반도체 및 소부장 혁신 거점 육성

- 부산은 차세대 전력반도체 생산 허브로 육성, 8인치 SiC 전력반도체 센터 공공 팹 구축에 400억 원 지원

- 구미는 반도체 소재·부품 생산기지로 구축, 반도체 장비 챔버용 테스트베드(400억 원) 및 소재부품 시험평가센터(300억 원) 등 실증 인프라 집중 지원

- 선도기업과 대학·연구원 중심의 첨단 패키징 실증센터 구축(~2030년, 290억 원)으로 서남권 패키징 역량 강화

◦ AI 반도체 초격차 기술 R&D 및 인력 양성

- 미래 AI 반도체 초격차 기술 확보를 위해 R&D 지원 확대: HBM 이후 차세대 메모리, 데이터센터용 AI 반도체(NPU) 개발 집중

- 미래차·로봇·방산 분야별 AI 수요 특화 NPU 개발에 1.3조 원 투입, 화합물 반도체(SiC, GaN) 및 첨단 패키징 핵심 공정·장비 개발 지원

- 반도체 특성화대학(원) 및 아카데미 확대, Arm School 등을 통해 2030년까지 반도체 인력 10만 명 양성 가속화

◦ AI 데이터센터 인프라 구축 및 전력반도체 지원

- 8.4GW급 AI 데이터센터 구축에 총 550조 원(투자 유치 포함) 투자, 2028년 상반기 내 착공 및 2029년부터 단계적 운영 목표

- AI 데이터센터의 IT, 클라우드·SW, 전력·냉각 등 기술·장비 국산화 및 수출 지원을 통해 국가전략산업화 추진

- 공공·민간 수요 연계형 차세대 전력반도체 기술 R&D 추진, 국내 파운드리 주도로 성능 검증·양산 지원

- 전력반도체 양산·실증 지원을 위한 민관 협력 상용 파운드리 구축 방안 검토 및 국가안보 인프라에 국산 반도체 우선구매 조항 신설

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

	｢지방투자기업 유치 국가 재정자금 지원기준 개정 고시｣ 2026.07.16.(목)/ 산업통상부

□ 서론 : 산업통상부가 지방 투자 활성화를 위해 '지방자치단체의 지방투자기업 유치에 대한 국가의 재정자금 지원기준'을 개정 고시했음. 이번 개정은 지방으로 이전하거나 신·증설 투자를 하는 기업에 대한 정부의 재정 지원을 확대하고, 첨단산업 및 고용 창출 효과가 큰 기업에 대한 인센티브를 강화하는 내용을 포함. 이는 수도권 집중 완화와 지역 경제 활성화에 중요한 역할을 할 것으로 보임.

□ 내용 :

◦ 지방 투자 기업 유치 위한 국가 재정자금 지원 기준 개정

- '지방투자촉진보조금'은 산업통상부 장관이 지방자치단체에 교부하고, 지자체장이 자금을 더하여 투자기업에 지급하는 급부금을 의미

- 제조업, 정보통신산업, 지식서비스산업을 주업종으로 영위하는 법인 기업이 지원 대상에 포함

- 부동산업, 건설업(일부 제조업 관련 예외), 소비성 서비스업 등은 지원 대상에서 제외하여 사업의 건전성 유지

- 사업장을 인수 또는 합병하여 소유 관계만 변한 경우, 그리고 이미 다른 지원을 받은 기업은 지원 대상에서 제외

◦ 다양한 유형의 지방 투자 기업에 대한 지원 확대

- 수도권 과밀억제권역에서 1년 이상 사업을 영위한 30명 이상 고용 기업이 지방으로 이전 시 지원

- 국내에서 1년 이상 사업을 영위하고 상시고용인원 10명 이상인 기업이 지방에 신·증설 투자 시 지원

- 신규 상시고용인원이 기존 고용의 10% 이상(최소 10명)이거나 특정 규모 이상(중소 20명, 중견 30명, 대기업 70명)인 경우 지원 가능

- 국가첨단전략산업기업, 소재·부품·장비기업, 상생형 지역일자리기업 등 국가 전략 산업 관련 기업에 대한 지원 우대

◦ 지원 범위 및 인센티브 강화

- 기업이 지방으로 이전하거나 특정 지역에 신·증설 투자 시 토지매입가액의 일부(입지보조금) 및 설비투자금액의 일부(설비보조금) 지원

- 투자기업의 신규 고용인원수에 따라 설비보조금 지원 비율 최대 20%p까지 가산하여 고용 창출 유도

- 국가첨단전략산업특화단지 입주 기업, 소재·부품·장비 특화단지 입주 기업 등 특정 요건 충족 시 설비보조금 지원 비율 2%p 가산

- 지식서비스산업 기업의 경우 신규 채용 상시고용인원 임금의 일부를 고용보조금으로 지원 (최대 100명 한도, 국비 보조율 별표5 적용)

-  지방자치단체가 3,000억 원 이상 투자 기업군 유치 시, 공동기반시설 설치비 등을 추가 지원 가능

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

	｢AI 시대, 반도체 냉각 시스템 기술 혁신 가속화｣ 2026.06.19.(금)/ semi.net

□ 서론 : AI 기술의 급속한 발전과 대규모 언어 모델(LLM), 엑사스케일 슈퍼컴퓨팅의 확산은 반도체 고성능화를 가속화하고 있음. 이러한 진화의 이면에는 반도체 발열 문제 해결이라는 중대한 기술 과제가 자리 잡고 있음. 단위 면적당 열유속이 대폭 증가하면서 시스템 성능, 동작 안정성, 소자 신뢰성 및 수명에 큰 영향을 미치고 있어, 효율적인 열 관리 기술의 중요성이 그 어느 때보다 커지고 있음.

□ 내용 :

◦ AI 시대, 반도체 발열 문제의 심화와 냉각 기술의 진화

- 반도체 고집적화 및 나노미터급 미세화 공정 발전으로 단위 면적당 열유속 대폭 증가

- CPU 열유속이 2000년대 초 10~15W/㎠에서 2010년경 100W/㎠급으로 상승, '핫스팟' 문제 대두

- 초기 공랭식에서 히트파이프, 베이퍼 챔버를 이용한 상변화 방식 도입으로 열 전달 효율 향상

- 2010년대 후반 이후 3D 적층 및 칩렛 기술 확산으로 발열원 입체화, 열 방출 난이도 증가

◦ 주요 기업들의 혁신적인 반도체 직접 냉각 기술 개발

- (SK하이닉스) HBM 시장 선도하며 패키지 통합형 열 구조 'iHBM' 기술 발표

발열 집중 영역에 전기 절연성 및 높은 열전도성 실리콘 기반 방열 소재 'ICE' 통합

패키지 전체 열저항 30% 이상 저감 및 기존 MR-MUF 기술, SiP 구조와 높은 설계 호환성 확보

- (삼성전자) 고발열 SoC 및 AP용 'HPB(Heat Path Block)' 기술 개발

DRAM을 측면에 배치하고 열전도율 높은 금속 블록을 통합하여 프로세서 상단 방열 경로 확보

패키지 열저항 16% 저감 및 차세대 모바일 SoC '엑시노스 2600'부터 적용

존스 홉킨스 대학교와 공동으로 차세대 펠티에 냉각 기술(CHESS) 개발, 냉각 효율 75% 향상 및 소재 사용량 1/1,000 절감

- (TSMC) CoWoS®-R 패키지에 직접 통합되는 'Direct-to-Silicon Liquid Cooling(DSLC)' 기술 발표

실리콘 내 마이크로 유체 유로 형성, 탈이온수 냉매로 3.4kW급 방열 능력 실현

패키지 상단 금속 덮개(Lid)를 제거한 'Lidless 구조' 제시, 수냉식 콜드플레이트 직접 밀착으로 방열 효율 획기적 개선 시도

- (Corintis(스위스) + Microsoft(미국)) 실리콘 기판 인근 마이크로 규모 유로에 냉각액 직접 순환 'Microfluidics cooling system' 실증

AI 기반 알고리즘으로 최적 핀핀 구조 및 유로 패턴 자동 생성, 열 제거 성능 최대 3배 향상

GPU 작동 시 온도 상승 최대 65% 억제, 기존 콜드 플레이트 방식 대비 높은 냉각 효율 확인

- (오사카 대학 등) 나노미터 규모 미세 구멍(나노포어) 내부 이온 이동 제어 나노 장치 개발

게이트 전극으로 통과 이온 선택성 제어, 특정 이온종만 우선 투과시켜 유체 온도차 제어 가능

극미소 소자 국소적 온도 제어 기술로 응용 기대

그림 1. Direct-to-Chip 냉각 기술

그림 2. SK하이닉스 “iHBM”

그림 3. 삼성의 HPB 기술

◦ 데이터센터의 액침 냉각 도입 확대와 과제

- AI 서버 고밀도화로 데이터센터에서 액침 냉각 시스템 도입 확대, 서버 전체를 전기 절연성 액체에 침지

- 공기에 비해 높은 열전달률로 팬 및 공조 시스템 열 전달 손실 대폭 절감, 데이터센터 냉각 효율 및 전력 소비 감소

- PUE(Power Usage Effectiveness) 지수 1.05 부근까지 개선 사례 보고

- Submer, LiquidStack 등 벤더들이 대형 탱크형 액침 시스템 표준화 추진, 차세대 데이터센터 설계의 한 형태로 자리매김

- KDDI, 미쓰비시 중공업 등 일본 기업들도 컨테이너형 데이터센터에 랙형 액침 시스템 도입 검토

- (과제) 시스템 무게 증가로 기존 데이터센터 바닥 하중 보강 필요, 개조 및 신설 투자 비용 발생

- (냉매 규제) 2상식 액침 냉각에 사용되던 불소계 냉매(PFAS) 규제 강화로 3M 2025년까지 생산 중단, 대체 냉매 도입 및 1상식 액침 냉각 전환 필요

- 운영 및 유지보수 프로세스 표준화, 작업 교육 등 새로운 운영 과제 발생

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

	｢삼성전자-스미토모 화학, 차세대 유리 코어 기판 합작회사 설립 예정｣ 2026.07.07.(화)/ MONOist

□ 서론 : 차세대 인공지능(AI) 반도체의 고성능화를 뒷받침할 핵심 기술로 주목받는 '유리 코어 기판' 시장이 본격적인 개화를 앞두고 있음. 삼성전자와 스미토모 화학의 한국 자회사 동우파인켐이 첨단 반도체 패키징용 유리 코어 기판 사업을 위한 합작회사 설립 계약을 체결. 이는 양사의 기술력과 노하우를 결집하여 급증하는 고성능 반도체 수요에 대응하고, 차세대 반도체 패키징 시장을 선도하려는 전략적 움직임으로 풀이됨.

□ 내용 :

◦ 차세대 반도체 패키징, 유리 코어 기판 주목

- 생성형 AI 보급, 데이터센터 투자 확대, 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요 증가로 반도체의 고집적화 및 저전력화 요구 증대

- 반도체 패키지 기판의 대형화 및 고밀도화에 대한 대응책으로 유리 코어 기판이 핵심 기술로 부상

- 유리 코어 기판은 뛰어난 강성, 치수 안정성, 낮은 뒤틀림, 낮은 열팽창률을 특징으로 하며, 패키지 전체의 신뢰성 향상 및 고밀도 배선 구현에 기여

- AI 관련 반도체의 패키지 대형화 및 고밀도화 요구에 부합하는 유력한 대안으로, 본격적인 시장 성장이 기대

◦ 삼성-스미토모 합작법인 설립으로 시장 선점

- 스미토모 화학의 100% 자회사인 한국 동우파인켐과 삼성전자가 유리 코어 기판 사업 합작회사 설립 계약 체결

- 관계 당국 승인 등 필요한 절차를 거쳐 2026년 내 신규 법인 설립 예정

- 양사의 기술력과 노하우를 집약한 첨단 반도체 패키징용 유리 코어 기판 전문 사업회사로 출범

- 2027년도 하반기를 목표로 공급 체계 구축 후 단계적으로 공급 능력 확충 및 사업 확대 계획

◦ 양사의 기술력 결집과 향후 공급 계획

- (동우파인켐) 박막 유리를 활용한 제품 제조 기술, 대면적 유리 기판 자동화 설비 운영 노하우, 고품질 생산 기술 보유

유리 취급 기술, 공정 개선 역량, 분석·평가 기반, 기존 인프라 및 인재를 활용하여 개발부터 양산까지 일관된 지원 가능

- (삼성전자) 첨단 반도체 패키지 기판 및 전자 부품 분야 사업 경험, 고다층·고밀도 배선 및 대형 패키지 기판 설계·제조 기술 강점

AI 서버용 고성능 분야에서 품질 및 신뢰성 확보, 첨단 반도체 제조사와의 고객 대응 능력, 사업화 노하우 보유

유리 코어 기판 기술에 대한 초기 단계부터 개발 및 실용화 주력

- 스미토모 화학 그룹은 ICT 관련 분야를 성장 동력으로 삼아 반도체 전공정 및 후공정 소재 사업 확대를 추진하며, 이번 합작회사 설립으로 차세대 반도체 패키지 분야의 사업 기반 강화

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	｢일본 전력반도체 산업, '각자도생'에서 '연합'으로 재편 가속화｣ 2026.07.07.(화)/ KOTRA

□ 서론 : 글로벌 전기차(EV) 시장의 전동화와 인공지능(AI) 데이터센터의 폭발적인 증설로 전력반도체 수요가 급증하고 있음. 전통적인 강국인 일본은 다수의 강소 기업을 보유했음에도 불구하고 파편화된 산업 구조로 인해 글로벌 경쟁에서 한계를 노출했습니다. 이에 일본 정부와 산업계는 로옴, 도시바, 미쓰비시전기 3사 연합을 중심으로 전례 없는 대형 재편을 추진하며, 자국 내 공급망을 강화하고 차세대 기술 경쟁력을 확보하려 하고 있음.

□ 내용 :

◦ 전력반도체 수요 급증 속 일본 산업의 구조적 한계

- 전력반도체는 전력 변환 및 제어를 담당하는 핵심 부품으로 EV, 재생에너지, 데이터센터 등 탈탄소 시대 필수 디바이스

- 일본은 미쓰비시전기, 후지전기, 도시바, 로옴 등 다수 강소 기업 보유, 글로벌 매출 상위 10사에 복수 기업 포함

- 개별 기업 점유율이 대부분 5% 미만으로 파편화된 산업 구조, 규모의 경제 달성 어려움으로 글로벌 선두 기업(인피니언 17%대) 대비 경쟁력 약화

표 1. Omdia(2023년 종합 전력반도체) 및 관련 보도 종합

순위	기업	국가	점유율(%)
1	Infineon	독일	21.4
2	Onsemi	미국	10.1
4	미쓰비시전기	일본	5.2
5	후지전기	일본	4.7
6	도시바	일본	3.7
9	로옴	일본	3.2

◦ 로옴·도시바·미쓰비시전기 3사 연합, 글로벌 2위권 도약 목표

- 2026년 3월 로옴, 도시바, 미쓰비시전기 및 대주주들이 전력반도체 사업 통합을 위한 협의 개시 양해각서 체결

- (기술 시너지) 로옴의 SiC 차량용 반도체, 도시바의 Si 기반 범용 반도체, 미쓰비시전기의 산업용 모듈 및 고내압 분야 기술 결합

- 3사 통합 성공 시 단순 합산 기준 글로벌 시장 점유율 약 11%로, 미국 온세미를 제치고 세계 2위권으로 부상 전망

- 생산 프로세스 단일화, 공동 R&D 통한 비용 절감, 마케팅 채널 일원화로 원가 경쟁력 확보 기대

- 토요타 그룹 핵심 공급업체 덴소의 로옴 경영권 인수 제안이 불발된 후, 덴소는 로옴 지분 4.98% 보유하며 기술 공동 개발 '투트랙' 협력 관계로 전환

◦ 일본 정부 주도 보조금 정책, 자국 공급망 강화

- 일본 경제산업성(METI)은 경제안보 차원에서 반도체 제조 기반 복원을 위해 정부 주도 정책 추진

- '경제안전보장추진법' 제정 및 반도체를 '특정 중요물자'로 지정, 전력반도체 증산 투자에 거액의 국가 보조금 지급

- 보조금 신청 요건으로 전력반도체 사업 규모를 '2,000억 엔 이상'으로 제한, 기업 간 전략적 연계 및 통합 유도

- 로옴·도시바 공동 생산에 사업비 총액 3,883억 엔 중 최대 1,294억 엔(1/3) 보조, SiC 웨이퍼, Si 전력반도체 분담 생산

- 2030년까지 자국 내 반도체 생산 기업 합계 매출 15조 엔 초과 달성 목표 (2020년 대비 3배 수준)

표 2. 로옴, Omdia, 일본경제신문 종합

분야	구성비(%)	주력 기업(예시)
자동차	36	로옴(SiC)
산업기기	28	미쓰비시전기
기타(인프라 등)	36	도시바

표 3. 경제산업성, 일본경제신문 종합

구분	지정 시기	참여기업	사업총액(엔)	국가 보조금(엔)
1	2023.12	로옴+도시바	3,883억	1,294억
2	2024.12	덴소+후지전기	2,116억	705억

◦ 차세대 SiC·GaN 기술 개발 및 국내 기업 시사점

- 전력반도체 핵심 소재가 Si에서 SiC, GaN으로 전환됨에 따라 고성능화 및 8인치 양산 인프라 구축 투자 활발

- 로옴은 기존 대비 온저항 약 30% 낮춘 5세대 SiC MOSFET 개발, 전기차 및 AI 서버 시장 대응

- 미쓰비시전기는 2025년 10월 8인치 SiC 신공장 완공, 2027년 본격 양산 예정

- 로옴은 마쓰다 자동차와 GaN 전력 디바이스 공동 개발 착수, 2027년 상용화 목표

- 국내 기업은 글로벌 스케일 경쟁에 대응하기 위한 수평적 사업 연계, 완성차 기업과의 '투트랙' 기술 제휴 모델 검토 필요

- 단품 칩 제조를 넘어 AI 데이터센터용 전원 장치, 고내압 산업기기 등 다각화되는 수요처에 맞춘 고부가가치 모듈 및 패키징 역량 확장 요구

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

	｢중국 시안, 서부 반도체 공급망 핵심 거점으로 부상｣ 2026.07.03.(금)/ KOTRA

□ 서론 : 중국 섬서성 시안이 서부 지역 반도체 공급망의 핵심 거점으로 급부상하고 있음. 2012년 삼성전자의 낸드플래시 생산 라인 구축을 계기로, 시안은 웨이퍼 제조를 넘어 반도체 소재, 특수가스, 장비 유지보수, 패키징·테스트, 설계 기업들이 집적된 종합 반도체 클러스터로 성장했음. 2025년에는 산업 매출이 약 206억 달러에 달하며, 중국 서부 반도체 산업의 새로운 축으로 자리매김하고 있음.

□ 내용 :

◦ 시안, 중국 서부 반도체 클러스터로 급성장

- 섬서성은 전자정보 및 항공우주 산업 기반이 탄탄하고 반도체 전문 인력 양성 대학이 밀집하여 클러스터 형성 유리

- 현재 약 300개의 반도체 관련 기업이 활동 중이며, 종사자는 약 7만 5천 명에 달함

- 2025년 섬서성 반도체 산업 매출은 약 206억 달러로 전년 대비 5.41% 증가, 10년 만에 3배 이상 성장

- 집적회로 수출입 규모는 약 306억 달러로 전년 대비 20.0% 증가, 섬서성 대외무역의 핵심 품목으로 자리 잡음

◦ 산업 구조 웨이퍼 제조 중심에서 전반으로 확장

- 과거 웨이퍼 제조(2025년 매출 약 77억 달러)가 성장을 견인했으나, 최근 패키징·테스트, 소재·장비 분야 성장세 두드러짐

- 집적회로 설계업은 통신, 메모리, IoT, 위성항법, 전력반도체 등 다양한 분야에서 활동하며 지역 주력 산업과 시너지 창출

- 삼성전자 시안 공장은 1기 110억 달러, 2기 150억 달러 투자 규모로 중국 최대 외국인 독자 투자 프로젝트

그림 4. 섬서성 집적회로 설계업 매출액 및 증가율 (단위: US$ 억, %)

그림 5. 섬서성 웨이퍼 제조업 매출액 및 증가율

(단위: US$ 억, %)

◦ 소재·장비 및 첨단 패키징 분야 성장 가속화

- 2025년 소재·장비 산업 매출 약 40억 달러로 전년 대비 25.79% 증가, 반도체 산업 전 분야 중 가장 높은 성장률 기록

- 특수가스, 전자화학품, 세정액, 식각액, 진공펌프 유지보수, 실리콘 웨이퍼 등 다양한 공급망 기업 집적

- 패키징·테스트 산업 매출은 약 31억 달러로 전년 대비 20.10% 증가, QFN, DFN, BGA, SiP 등 다양한 첨단 패키징 기술 보유

- AI 반도체, 차량용 반도체, 전력반도체 시장 성장에 발맞춰 첨단 패키징 및 전력모듈 패키징 분야 전략적 육성 가능성 높음

그림 6. 섬서성 패키징·테스트업 매출액 및 증가율

(단위: US$ 억, %)

그림 7. 섬서성 반도체 지원산업 매출액 및 증가율

(단위: US$ 억, %)

◦ 주요 기업 및 한국 기업 협력 기회

- ESWIN(12인치 실리콘 웨이퍼), YUANJIE SEMICONDUCTOR (인화인듐 광칩), UNIGROUP GUOXIN (DRAM), PERI TECHNOLOGY (전력반도체 소자) 등 주요 상장기업 활동

- 한국 기업은 시안의 대형 반도체 생산기지를 중심으로 소재·부품·장비 분야에서 협력 경험 축적

- 공정 최적화, 장비 유지보수, 고순도 소재, 특수가스, 세정 및 테스트 서비스, 첨단 패키징 관련 기술 협력 기회 모색 필요

- 중국 시장의 현지화 요구에 맞춰 현지 파트너와의 협력, 기술 서비스 체계 구축, 안정적인 납품·사후관리 능력 확보 중요

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

	｢일본 산총연, EUV 노광 장치용 '곡면 거울 절대 형상 측정' 세계 최고 정밀도 기술 개발｣ 2026.07.08.(수)/ EE Times Japan

□ 서론 : 첨단 반도체 제조의 핵심인 극자외선(EUV) 노광 장치에 사용되는 고정밀 곡면 거울의 형상을 정확하게 측정하는 기술이 개발되었음. 일본 산업기술종합연구소(산총연)는 비접촉 방식으로 곡면 거울의 절대 형상을 2nm 정밀도로 측정할 수 있는 장치를 개발했다고 발표. 이 기술은 EUV 노광 장치의 성능에 직접적인 영향을 미치는 광학 소자의 제조, 개발, 평가에 필수적인 역할을 하며, 초정밀 공정 분야에 새로운 지평을 열 것으로 기대됨.

□ 내용 :

◦ EUV 노광 장치 핵심, 고정밀 곡면 거울의 중요성

- EUV 노광 장치 및 방사선 시설에서는 집광 및 파면 제어를 위해 고정밀 곡면 거울 채택

- 광학 소자의 형상 정밀도가 장치 성능에 큰 영향을 미치므로, 표면 요철 및 곡률 반경 포함 절대 형상 정확히 파악 필요

- 기존에는 비접촉 방식으로 곡면의 절대 형상을 고정밀도로 측정하는 것이 매우 어려웠던 상황

◦ 산총연, 세계 최고 정밀도 곡면 거울 절대 형상 측정 기술 개발

- 산총연은 스캐닝형 각도 측정 방식의 형상 측정 장치(SDP)를 개량하여 곡면 형상 측정에 적용 성공

- 기존 SDP는 평면 기판(직경 600mm)에 대해 5nm 절대 정밀도 평탄도 측정 가능했으나, 곡면 측정은 어려움 존재

- 새롭게 개발된 장치는 곡률 반경 5m의 원통면 광학 소자에 대해 반복 측정 시 표준편차 0.46nm 달성

- 절대 형상 측정 불확실도는 Peak-to-Valley 값으로 2.0nm를 기록, '세계 최고 정밀도' 측정 실현

◦ 혁신적인 측정 원리 및 향상된 정밀도

- 자가 보정형 로터리 엔코더(SelfA)를 형상 측정 장치에 탑재하여 측정 가능한 각도 범위 확대

- 측정 대상 회전 시 반사광이 항상 입사광과 평행하게 되돌아오도록 하고, 그 회전 각도를 측정하는 방식 채택

- 광 각도 감지 유닛, 펜타미러와 직동 스테이지, SelfA 탑재 회전 스테이지로 구성

- 넓은 각도 범위를 고정밀도로 측정하는 SelfA를 통해 큰 각도 편차를 읽어냄으로써 측정 정밀도와 범위 동시 확보

- 측정 길이는 90mm, 측정 범위 내 표면 각도 변화 약 1도에 달하는 곡면도 정밀 측정 가능

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	｢어플라이드 머티리얼즈, 3D 구조 정밀 가공 위한 첨단 증착 및 에칭 장비 공개｣ 2026.06.30.(화)/ MONOist

□ 서론 : 인공지능(AI) 컴퓨팅의 급속한 성장은 반도체 업계에 GAA(gate-all-around) 트랜지스터 및 고다층 3D NAND와 같은 첨단 3D 아키텍처로의 전환을 가속화하고 있음. 이러한 복잡한 수직 구조의 정밀한 제조는 기존 박막 형성 및 에칭 공정의 한계를 드러내며 새로운 기술을 요구하고 있음. 어플라이드 머티리얼즈는 이러한 난제를 해결하기 위해 깊고 좁은 3D 구조의 정밀 가공에 최적화된 새로운 증착 장비와 선택적 에칭 장비를 공개함.

□ 내용 :

◦ AI 컴퓨팅 시대, 첨단 3D 반도체 구조의 복잡성 증가

- AI 컴퓨팅 발전으로 GAA 트랜지스터 및 고다층 3D NAND 등 첨단 3D 아키텍처로의 전환 가속화

- 수직 구조 심화 및 미세화로 인해 기존 박막 형성 및 에칭 공정으로는 구조 최상부부터 최하부까지 재료 균일 도포 어려움 발생

- 이러한 한계는 전기적 특성 및 수율 저하로 이어져 반도체 성능 향상에 걸림돌로 작용

◦ Centris Spectral SiN ALD: 3D 구조용 고품질 SiN 박막 형성

- Centris Spectral SiN ALD는 표면 패시베이션 및 절연 분리 등에 사용되는 실리콘 질화물(SiN) 막을 형성하는 증착 장비

- 복잡한 3D 구조에서도 저온에서 고품질의 균일한 SiN 막을 증착할 수 있는 특징

- 고밀도 마이크로파 플라즈마 기술을 통해 기존 방식의 플라즈마 밀도와 이온 손상 간 상충 관계 해소

- DRAM 및 로직뿐 아니라 GAA 트랜지스터 접점에 적용하여 저항과 기생 용량을 줄여 디바이스 속도 향상에 기여

그림 8. 박막 형성 장비 ‘Centris Spectral SiN ALD’(오른쪽)와 선택적 에칭 장비 ‘Producer Selectra Mo Etch’

◦ Producer Selectra Mo Etch: 3D 낸드 워드 라인 정밀 분리 기술

- Producer Selectra Mo Etch는 3D NAND의 적층 수 증가에 따라 도입이 확대되는 워드 라인 분리를 정밀하게 수행하는 에칭 장비

- 워드 라인 층 형성에 사용되는 몰리브덴(Mo) 등 저저항 금속을 극히 선택적으로 제거하는 것이 특징

- 기존 습식 에칭 방식의 한계(고층화된 3D 스택 깊은 부분까지 에칭액 도달 어려움) 극복

- 첨단 가스 공급 및 공정 제어 기술로 높은 종횡비의 깊은 구조에서도 상하 방향으로 균일한 프로파일 정밀도 확보

- 3D NAND 스택 셀 간 편차를 줄여 전류 누설 억제 및 데이터 유지력 향상에 기여

* 자세한 내용은 첨부 자료를 참조 바랍니다.

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